Descrição
sx460 entrada Voltagem jumper selecionável 95-132 Vca ou 190-264 Vca frequência 50-60 hz nominal Estágio 1 saída Voltagem máx. 90 V CC na entrada de 207 V CA atual contínuo 4A dc, intermitente 6A por 10 segundos resistência mínimo de 15 ohms regulamento +/- 1.0% deriva térmica 0.05% por grau. C mudança no ambiente AVR resposta típica do sistema resposta média 20 ms arquivado atual para 90% 80 ms volts da máquina para 97% 300 ms ajuste de tensão externa +/-10% com aparador de 1 k ohm 1 watt sob proteção de frequência ponto de ajuste 95% Hz inclinação 170% até 30 hz unidade de dissipação de energia máximo de 12 watts 10 watts máximo aumentar a tensão 4 volts @ terminais AVR de Meio Ambiente vibração 20-100 hz,50mm/s 100hz – 2khz, 3.3g Temperatura de operação -40 a +70 graus. c umidade relativa 0-70 graus. 95% temperatura de armazenamento -55 a +80 graus. c
C
inscrição
geração de energia a biogás
energia a gás natural
Engenharia de Campo
energia elétrica
fábrica
combate a incêndio
materiais e tecnologia
materiais e tecnologia capacitor de poliéster dispositivos de energia semicondutores todos os dispositivos de energia IC importados , modelo de alta corrente com os estados unidos resistores de alimentação principal potenciômetro de ajuste u.s. BOURNS original capacitores de chip xiamen farah Cola pu proteção ambiental , ao mesmo tempo não altera as propriedades elétricas das características de alta temperatura e alta temperatura mais vantagens 1.após o rigoroso teste totalmente funcional e de desempenho, e envelhecimento em alta temperatura, cada lote de taxa de confiabilidade de teste de 3%. os parâmetros de cada placa são rigorosamente testados e ajustados, totalmente compatível com produtos originais 2.alta estabilidade dos principais componentes do produto, usamos componentes de baixo coeficiente de temperatura para garantir o produto 3.dois transistores originais, e 2 onças de placa de circuito de grande corrente (a maioria da placa de circuito convencional é de 1 onça) para garantir alta confiabilidade em um elemento semicondutor de alta potência
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